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本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了設(shè)計(jì)生產(chǎn)的設(shè)備在電源時(shí)序和控制方面能兼容的電源控制接口，其中包括電源控制接n線(xiàn)和可選的緊急斷電特儉的定義和描述.本標(biāo)準(zhǔn)適用于軍用計(jì)算機(jī)與外圍設(shè)備.

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了信息技木設(shè)備靜電放電敏感度極限值和試驗(yàn)方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于在一般工作環(huán)境中工作的信息技木設(shè)備。

本規(guī)范規(guī)定更對(duì)射頻(RF)輻射吸收體(微波吸收材料)的要求，質(zhì)量保證，交貨準(zhǔn)備。微波吸收材料在以下簡(jiǎn)稱(chēng)為RAＭ。本規(guī)范適用于電子行業(yè)制造和使用的微波吸收材料。

本指導(dǎo)性技木文件規(guī)定了抑制電源傳導(dǎo)干擾和輻射干擾的方法。本指導(dǎo)性技木文件適用于電源的電磁兼容性設(shè)計(jì)，旨在降低電源的傳導(dǎo)和輻射干擾。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于器件的研制、生產(chǎn)和采購(gòu)。?

本標(biāo)準(zhǔn)適用適用于器件的研制、生產(chǎn)和采購(gòu)。?

本規(guī)范適用于器件的研制、生產(chǎn)和采購(gòu)。

本規(guī)范適用于器件的研制、生產(chǎn)和采購(gòu)。

本規(guī)范適用于器件的研制、生產(chǎn)和采購(gòu)。

本規(guī)范規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路JT54LS283型LS-TTL4位二進(jìn)制超前進(jìn)位全加器（以下簡(jiǎn)稱(chēng)器件)的詳細(xì)要求。

本規(guī)范規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路Jμ8086型微處理器（以下簡(jiǎn)稱(chēng)器件）的詳細(xì)要求。

本規(guī)范規(guī)定了探測(cè)劑量率為0.02~0.12cGy/h的Y射線(xiàn)及100~1800脫變數(shù)/分·厘米的β射線(xiàn)計(jì)數(shù)管（簡(jiǎn)稱(chēng)計(jì)數(shù)管）的詳細(xì)要求。

本規(guī)范規(guī)定了SF—1213型硫化銻視象管的詳細(xì)要求。

本規(guī)范規(guī)定了3DK12B~F型功率開(kāi)關(guān)晶體管的詳細(xì)要求。每種器件均按GJB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個(gè)等級(jí)(GP、GT和GCT級(jí))。

本規(guī)范規(guī)定了3DK36B~H型功率開(kāi)關(guān)晶體管的詳細(xì)要求。每種器件均按GJB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個(gè)等級(jí)(GP、GT和GCT級(jí))。

本規(guī)范規(guī)定了3DK37B~H型功率開(kāi)關(guān)晶體管的詳細(xì)要求。每秒器件均按GJB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個(gè)等級(jí)(GP、GT和GCT級(jí))。

本規(guī)范規(guī)定了~G型功率開(kāi)關(guān)晶體管的詳細(xì)要求。每種器件均按G1FB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個(gè)等級(jí)(GP、GT和GCT級(jí))。

本規(guī)范規(guī)定了3DK38B~H型功率開(kāi)關(guān)晶體管的詳細(xì)要求。每咱器件均按GJB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個(gè)等(GP、GT和GCT級(jí)).

本規(guī)范規(guī)定了3DK222l、3DK2221A、3DK2222和3DK2222A型NPN硅小功率開(kāi)關(guān)晶體管(以下簡(jiǎn)稱(chēng)器件)的詳細(xì)要求。每種器件按GJB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個(gè)等級(jí)(GP、GT和pCT級(jí)).

本規(guī)范規(guī)定了3DG9l8型NPN硅超高頻小功率晶體管(以某側(cè)箍器件)的詳細(xì)婆$b該種器件按GJB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個(gè)等(GP、GT和GCT級(jí)).

本規(guī)范規(guī)定了3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反壓晶體管(以下簡(jiǎn)稱(chēng)器件)的詳細(xì)要求。該種器件按GJB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個(gè)等級(jí)(GP、GT和GCT級(jí))。

本規(guī)范規(guī)定了3CK3634~3CK3637mPNP硅小功率開(kāi)關(guān)晶體管（以下簡(jiǎn)稱(chēng)器件)的詳細(xì)要求。該秒器件按GJB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個(gè)等級(jí)(GP、GT和GCT級(jí))。

拳巍瘟巍量一2CK28B~H型勸率殼凳晶體管的詳細(xì)要求;每種器件均按CJB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個(gè)等級(jí)(GP、GT和GCT級(jí))。

本規(guī)范規(guī)定了3CT103型反向阻斷閘流晶體管(以下簡(jiǎn)稱(chēng)器件)的詳細(xì)要求，該種器件按GJB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個(gè)等級(jí)(GP，GT和GCT級(jí))。

本規(guī)范規(guī)定了3CT107型反向阻斷閘流晶體管（以下簡(jiǎn)稱(chēng)器件）的詳細(xì)要求該種器件按GJB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定提供產(chǎn)品保證的三個(gè)等級(jí)（GP，GT和GCT級(jí)）。

本規(guī)范規(guī)定了CS3821、CS3822和CS3823型硅溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（以下簡(jiǎn)稱(chēng)器件）的詳細(xì)要求。每種器件境按GJB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個(gè)等級(jí)(GP、GT和GCT級(jí)).????

本規(guī)范規(guī)定了2DW232~2DW236型硅電壓基準(zhǔn)二極管(以下簡(jiǎn)稱(chēng)器件)的詳細(xì)要求.該器件按GJB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個(gè)等級(jí)(GP、GT和GCT級(jí))。

本規(guī)范規(guī)定了2CW2970~3015型的型（標(biāo)準(zhǔn)極性）硅電壓調(diào)整二極管（以下簡(jiǎn)稱(chēng)器件)的詳細(xì)要求。該器件按GJB33〈〈半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范〉〉的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三企等級(jí)(GP，GT和GCT級(jí)).

本規(guī)范規(guī)定了2CZ5550~5554型硅整流二極管（以下簡(jiǎn)稱(chēng)器件）的詳細(xì)要求。該種器件按GJB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》定，提供產(chǎn)品保證的三個(gè)等級(jí)（GP、GT和GCT級(jí)）。

本規(guī)范規(guī)定了2CW3ol6~305l型硅電壓調(diào)整二極管(以下簡(jiǎn)稱(chēng)器件)的詳細(xì)要求。該種器件按GＪB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個(gè)等級(jí)(GP、GT和GCT級(jí))。