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硅單晶中碳、氧含量的測定 低溫傅立葉變換紅外光譜法

標 準 號： GB/T 35306-2017
替代情況：
發布單位： 中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
起草單位： 昆明冶研新材料股份有限公司、江蘇中能硅業科技發展有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司等
發布日期： 2017-12-29
實施日期： 2018-07-01
點 擊 數：
更新日期： 2018年04月08日
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內容摘要

本標準規定了低溫傅立葉變換紅外光譜法測定硅單晶中代位碳、間隙氧雜質含量的方法。
本標準適用于室溫電阻率大于0.1 Ω·cm的N型硅單晶和室溫電阻率大于0.5 Ω·cm的P型硅單晶中代位碳、間隙氧雜質含量的測定。
　　

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