本文件描述了利用X射線衍射儀測試半導體材料雙晶搖擺曲線半高寬，進而評價半導體單晶晶體質(zhì)量的方法。本文件適用于碳化硅、金剛石、氧化鎵等單晶材料晶體質(zhì)量的測試，硅、砷化鎵、磷化銦等半導體材料晶體質(zhì)量的測試也可參照本文件執(zhí)行。
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