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碳化硅外延片表面缺陷的測(cè)試 激光散射法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào)： GB/T 42902-2023
替代情況：
發(fā)布單位： 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
起草單位： 安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司、廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司、安徽芯樂(lè)半導(dǎo)體有限公司、南京國(guó)盛電子有限公司等
發(fā)布日期： 2023-08-06
實(shí)施日期： 2024-03-01
點(diǎn) 擊 數(shù)：
更新日期： 2023年09月11日
下載地址：點(diǎn)擊這里 5.63MB
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內(nèi)容摘要

本文件描述了激光散射法測(cè)試碳化硅外延片表面缺陷的方法。
本文件適用于4H-SiC外延片的表面缺陷測(cè)試。

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