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用于硬開關(guān)電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào): T/CASAS 005-2022
替代情況:
發(fā)布單位: 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
起草單位: 工業(yè)和信息化部電子第五研究所、中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、 佛山市聯(lián)動(dòng)科技股份有限公司
發(fā)布日期: 2022-09-16
實(shí)施日期: 2022-09-16
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更新日期: 2026年05月20日
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本文件規(guī)定了用于硬開關(guān)切換電路的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法。


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